國際高端專家先進技術(shù)課程:《功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)、挑戰(zhàn)與應(yīng)用》
?
組織機構(gòu)：上海海事大學(xué)、中國電源學(xué)會
支持單位：上海電源學(xué)會、中國電源學(xué)會科普工作委員會
時間：2013年10月21-26日
地點：上海海事大學(xué)物流工程學(xué)院124報告廳
課程宗旨：本課程旨在國內(nèi)首次全面系統(tǒng)地介紹最新功率半導(dǎo)體器件，包括：碳化硅和砷化鎵技術(shù)，深入分析高頻開關(guān)器件的結(jié)構(gòu)、參數(shù)特性、器件選擇與保護，著重破解業(yè)界在電力電子器件大功率應(yīng)用的難題。通過課程的學(xué)習(xí)和相互交流，能更深刻理解重要的功率器件的原理與參數(shù)特性，掌握應(yīng)用技術(shù)關(guān)鍵，為未來在各個領(lǐng)域的應(yīng)用奠定堅實的技術(shù)基礎(chǔ)。
在國家外國專家局“國際高端專家項目”的資助下，特邀德國科學(xué)院院士，國際著名電力電子專家Leo Lorenz博士作為主講者，他曾在全球各地的著名高等學(xué)校、研究機構(gòu)和國際會議講授過該類課程，深受歡迎。這次，還邀請了中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)委員會主任、浙江大學(xué)徐德鴻教授、上海交通大學(xué)蔡旭教授、法國海軍學(xué)院J. Charpentier博士等國內(nèi)外知名學(xué)者與著名廠商一同授課。
科研機構(gòu)和企業(yè)的研發(fā)人員和工程師
課程安排：
?
時間 | 內(nèi)容 | 主講人 |
10月21日（周一） | ||
9:00-9:30 | 開幕式 | 中國電源學(xué)會領(lǐng)導(dǎo)：開幕詞 上海海事大學(xué)校領(lǐng)導(dǎo)：歡迎詞 |
9:30-11:30 | 第一講：電力電子器件的新技術(shù)與發(fā)展趨勢 | 浙江大學(xué)徐德鴻教授 |
13:30-16:30 | 第二講：電力半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)與物理理解 2.1?? Key device concepts and electrical characteristics 2.2? Challenges in SMART Power Integration 2.3? Basic semiconductor structures of major devices and their ?? comparison based on carrier concentration profiles 2.4? Semiconductor material and conductivity 2.5? PN- structure, SCR, blocking capability | 德國科學(xué)院院士Leo Lorenz博士 |
10月22日（周二） | ||
8:30-11:30 | 第三講：快速開關(guān)二極管器件 3.1 Reverse Blocking Capability 3.2 Build up and remove Electron-Hole-Plasma during turn-on and turn-off intervals 3.3 Dynamic performance of FRED-Diode 3.4 Limits of FRED-Diode and development trend | 德國科學(xué)院院士Leo Lorenz博士 |
13:30-16:30 | 第四講：電力電子器件在船舶與海洋工程方面的應(yīng)用 4.1 power converters for marine energy system 4.2 power converters for ship electric propulsions | 法國海軍學(xué)院Charpentier博士 |
10月23日（周三） | ||
8:30-11:30 | 第五講：GaN器件原理及應(yīng)用 5.1 GaN Physics and development history 5.2 Device design & package scheme 5.3 600-V GaN device performance 5.4 GaN boost circuits 5.5 GaN resonant circuits 5.6 GaN bridge circuits | 美國Transphorm公司 Dr. Yifeng Wu |
13:30-16:30 | 第六講：風(fēng)力發(fā)電中的電力電子技術(shù) 6.1風(fēng)電機組變流器 6.2海上風(fēng)電多端柔性直流 6.3風(fēng)電場動態(tài)無功支撐 | 上海交通大學(xué)蔡旭教授 |
10月24日（周四） | ||
8:30-11:30 | 第七講：單極型器件的概念與Power MOSFET 7.1? Basics of MOS-controlled device 7.2? Power MOSFET cell structure, static and switching behaviour 7.3? Device parasitics and impact on dynamic performance 7.4? Super junction device, characteristics and difference to ?? conventional technologies 7.5? New development in low voltage power MOSFET and?? ?????? challenges in application 7.6? Device limits, avalanche behaviour and future design criteria 7.7? Driving and protection | 德國科學(xué)院院士Leo Lorenz博士 |
13:30-16:30 | 第八講：大功率電力電子器件及其應(yīng)用 8.1 IGBT 芯片技術(shù)和以及針對應(yīng)用提升性能 8.2 IGBT在輸配電的應(yīng)用趨勢 | 德國英飛凌半導(dǎo)體公司 陳子穎博士 ? |
10月25日（周五） | ||
8:30-11:30 | 第九講：基于碳化硅的單極型功率器件 9.1 SiCschotty diode and electrical performance 9.2?? Device limits and benefits in application 9.3?? SiC-JEFT and electrical behaviour 9.4?? Future development trends 9.5? Ultra fast switching-challenges in Power Converter Systems | 德國科學(xué)院院士Leo Lorenz博士 |
13:30-16:30 | 第十講：電力電子器件的保護與散熱 10.1 半導(dǎo)體熔斷器技術(shù) 10.2 母線排在變換器的應(yīng)用 10.3 電力電子器件的冷卻板 | 法國Mersen電氣保護公司 |
10月26日（周六） | ||
8:30-11:30 | 第十一講MOS控制的雙極型器件 11.1Basics of carrier modulated devices 11.2Static and dynamic performance (electron-hole-plasma modulation) 11.3Overload characteristics, short circuit capability and destruction modes 11.4Avalanche characteristics (dynamic evaluation behaviour) 11.5di/dt, dv/dt-limits and physical effect 11.6Driving and protection circuit for low- and high-power devices 11.7? Impact of fast switching to circuit and device parasitics 11.8Thermal management, and loss calculation | 德國科學(xué)院院士Leo Lorenz博士 |
?
